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机译:可独立寻址的InGaAs / GaAs垂直腔面发射激光器阵列
Bellcore, Red Bank, NJ, USA;
III-V semiconductors; gallium arsenide; indium compounds; ion implantation; semiconductor doping; semiconductor laser arrays; CW operation; InGaAs-GaAs; independently addressable laser arrays; laser characteristics; multiple lasers; planar ion-implantation processes; pulsed operation; simultaneous addressing; vertical-cavity surface-emitting laser array;
机译:蚀刻孔的空间有序阵列在基于亚单层InGaAs量子点的单模垂直腔表面发射激光器制造中的应用
机译:使用低暗电流InGaAs检测器阵列和垂直腔表面发射激光照明器的短波红外成像
机译:发射波长为1.27μm的InGaAs:Sb-GaAs-GaAsP量子阱垂直腔表面发射激光器的高速调制
机译:通过分子束外延在恒定温度下生长的高质量GaAs / InGaAs / AlGaAs垂直腔面发射激光器
机译:二维垂直腔面发射激光器阵列通过光纤图像波导互连到接收器阵列
机译:覆盖绿色间隙的量子点垂直腔表面发射激光器
机译:850 nm InGaAs / AlGaAs垂直腔面发射激光器的特性