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机译:体埋埋异质结构与多量子阱激光放大器开关的比较
British Telecommun. Res. Labs., Martlesham Heath, Ipswich, UK;
electron device noise; laser beam applications; optical communication equipment; optical switches; semiconductor junction lasers; MQW device; bulk buried heterostructure; contrast; extinction ratio; laser amplifier switches; multiple quantum well; noise; semiconductor lasers; switching speed; wavelength dependence;
机译:1.3-μmAlGaInAs多量子阱半绝缘埋层异质结构分布式反馈激光器,用于高速直接调制
机译:主动驱动埋藏异质结构多量子阱激光器的二维横截面纳米势能
机译:在1.3-μmInGaAsP多量子阱盖台面埋入异质结构激光器中直接测量横向载流子泄漏
机译:正向操作下埋藏异质结构多量子阱激光器的二维横截面量子阱分辨纳米电位
机译:阶梯形有源区中红外量子级联激光器和埋入异质结构的新型制造工艺
机译:使用埋入式采样光栅演示量子级联激光器中的高功率和稳定单模
机译:1.5μmInGaasp多量子阱分布反馈掩埋异质结构激光器的非选择性再生长
机译:步进锥形有源区中红外量子级联激光器和埋置异质结构的新型制造工艺。