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机译:pnp和npn多晶硅发射极双极晶体管的异质结隧穿模型
Dept. of Electron. & Comput. Sci., Southampton Univ., UK;
bipolar transistors; energy gap; impurity distribution; semiconductor device models; tunnelling; conduction bands; dopant concentration; dopant type; interfacial layer; npn transistors; pnp transistors; polysilicon emitter bipolar transistors; potential barriers; tunnelling model; valence bands; wide bandgap semiconductor;
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