Monolithic GaAs ultra-wideband amplifier for pulse applications

Giannini F.; Limiti E.

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Monolithic GaAs ultra-wideband amplifier for pulse applications

机译：单片GaAs超宽带放大器，用于脉冲应用

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A novel pulse amplifier for digital and analogue communications from quasi-DC to 4.5 GHz is presented. Realised in GaAs MMIC MESFET technology with 0.5 /spl mu/m gate length, the amplifier exhibits a measured gain of 18 dB, with good phase linearity. A new compensation technique has been successfully implemented to equalise the high frequency performance.

机译：提出了一种新型脉冲放大器，用于从准DC到4.5 GHz的数字和模拟通信。该放大器采用栅极长度为0.5 / spl mu / m的GaAs MMIC MESFET技术实现，测得的增益为18 dB，具有良好的相位线性度。一种新的补偿技术已成功实现，以均衡高频性能。

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来源
《Electronics Letters》 |1995年第19期|P.1698-1699|共2页
作者
Giannini F.; Limiti E.;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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