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机译:GaAs Gunn器件在94 GHz频率下产生的基本功率和谐波功率的比较
机译:在基本模式下与D波段(110-170 GHz)InP Gunn器件相结合的高效功率
机译:使用GaAs TUNNETT二极管和InP Gunn器件以二次或更高谐波模式产生亚毫米波辐射
机译:从高达455 GHz的InP Gunn设备提取三次谐波功率
机译:基本波注入锁定94 GHz的第二谐波Gunn振荡器
机译:非线性器件表征和二次谐波阻抗调谐,可在2GHz时实现碳化硅功率MESFET器件的峰值性能。
机译:用于汽车工业的77 GHz GaAs耿氏二极管芯片的制造与表征
机译:基于测量振荡功率的94GHz Gunn二极管的最大功率评估
机译:D波段(110 GHz-170 GHz)的Inp Gunn设备的建模,设计,制造和测试