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机译:使用InAlAs / InGaAs / InP HEMT的2-46.5 GHz准静态2:1分频器IC
机译:使用InAlAs / InGaAs / InP HEMT的74 GHz动态分频器
机译:基于100 nm T栅极InAlAs / InGaAs InP的HEMT,fT = 249 GHz和fmax = 415 GHz
机译:使用0.1 / spl mu / m InAlAs / InGaAs变质HEMT技术的W波段三分频器
机译:使用InAlAs / InGaAs / InP HEMT的SCFL静态分频器
机译:III-V INXGA1-XAS / INP MOS-HEMT为100-340GHz通信系统
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:错误到:“InP衬底上的Inalas / InGaAs / Inalas HEMT异质结构的结构和电性能与inaS阱插入量”