...
机译:In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As多量子阱结构中重空穴限制态的量子限制斯塔克效应
机译:快速热退火对在成分渐变的InAlAs / InAlGaAs变质缓冲层上生长的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As多量子阱质量的影响
机译:In_(0.53)Ga_(0.47)As / ln_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱中非抛物线性和波动函数大小的证据
机译:In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As / InP量子阱结构中的持久光电导和电子迁移率
机译:In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As多量子阱结构中重空穴子带的量子局限Stark效应
机译:应变的铟(0.52)铝(0.48)砷化物/铟(x)镓(1-x)砷化物(x大于0.53)高电子迁移率晶体管(HEMT),用于微波/毫米波应用。
机译:受限偶极子的定向极化率介导的层状混杂钙钛矿中的量子限制斯塔克效应
机译:Ga0.47In0.53As多量子阱异质结构,由与InP晶格匹配的伪四元(InP)n /(Ga0.47In 0.53As)m短周期超晶格限制
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。