210 GHz tripler with monolithically integrated single barrier varactors

Meola R.; Freyer J.

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210 GHz tripler with monolithically integrated single barrier varactors

机译：具有单片集成单势垒变容二极管的210 GHz三路复用器

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A monolithically integrated frequency tripler on semi-insulating GaAs substrate for 210 GHz output frequency is presented. The measured conversion efficiency using an optimised structure GaAs/GaAlAs single barrier varactor is 2.8% at an output power of 1.4 mW.

机译：提出了在半绝缘GaAs衬底上实现210 GHz输出频率的单片集成频率三重器。使用优化结构的GaAs / GaAlAs单势垒变容二极管在1.4 mW的输出功率下测得的转换效率为2.8％。

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来源
《Electronics Letters》 |1998年第18期|P.1756-1757|共2页
作者
Meola R.; Freyer J.;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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