机译:重空穴空间电荷效应引起的谐振带间隧穿二极管的光开关
Inst. d'Electron. et de Microelectron. du Nord, Univ. des Sci. et Tech. de Lille Flandres Artois, Villeneuve d'Ascq, France;
indium compounds; GaSb well; InAs-AlSb-GaSb; InAs/AlSb/GaSb resonant interband tunnelling diodes; band alignment; conduction characteristics; heavy hole space charge effects; optical switching; photo-created carrier concentrations; pronounced heavy hole space charge effects; resonant interband tunnelling diodes; type II character; very high sensitivity;
机译:间隔层厚度对硅基谐振带间隧穿二极管性能的影响及其在低功率隧穿二极管SRAM电路中的应用
机译:侧壁间隔物定义的谐振带间隧穿二极管
机译:侧壁间隔物定义的谐振带间隧穿二极管
机译:带间谐振隧道二极管中的光增益
机译:砷化铝/砷化镓三势垒共振隧穿二极管中的光诱导开关,隧穿和弛豫过程。
机译:自组装InAs岛对光开关谐振隧穿二极管界面粗糙度的影响
机译:p型中重孔和轻孔电流分离的证据 具有预充电的谐振隧穿二极管
机译:用于天基光通信应用的光开关谐振隧道二极管