机译:未掺杂双栅极MOSFET的解析和显式电流模型
School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798;
MOSFET; semiconductor device measurement; semiconductor device models; drain current equation;
机译:基于载流子浓度的精确而近似的无掺杂双栅极MOSFET的显式电流-电压模型
机译:用于“未掺杂双栅极MOSFET的显式分析电荷和电容模型”的勘误表[7月7日1718-1724]
机译:未掺杂双栅极MOSFET的显式分析电荷和电容模型
机译:未掺杂双栅极SOI MOSFET漏极电流模型的统一视图
机译:双栅极MOSFET的紧凑模型。
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:未掺杂双栅极MOSFET的解析和显式电流模型