机译:遮光金属的电容耦合电压引起的薄膜晶体管漏极引致的势垒降低异常效应
Ewha Womans University, Republic of Korea;
机译:栅极长度为60 nm的MOS晶体管中阈值电压和漏极引起的势垒降低的温度依赖性
机译:短沟道双材料栅4H碳化硅金属半导体场效应晶体管的漏极诱导势垒降低效应
机译:双通道4H碳化硅金属半导体场效应晶体管的漏极诱导势垒降低效应建模和优化
机译:漏极引起的屏障降低效应对小尺度紧张Si / SiGe NMOSFET的阈值电压的影响
机译:电容耦合补偿有利于六相传输线(二次电弧,恢复电压)上的单极切换。
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:薄膜晶体管:ZnO纳米纤维薄膜晶体管,具有低工作电压(ADV。电子。Matter。1/2018)