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Switching operation in intersectional type field effect MQW optical switch

机译:交叉型场效应MQW光开关中的开关操作

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摘要

Switching operation in an intersectional-type field effect multiquantum-well optical switch was observed for the first time from light reflection caused by the electric-field-induced refractive index variation and absorption coefficient change. The authors report switching operation in a GaInAsP/InP MQW ridge waveguide structure with an intersection angle of 4 degrees . Polarisation dependent properties originating from the quantum-well structure were also observed.
机译:首次观察到交叉型场效应多量子阱光开关中的开关操作,这是由电场引起的折射率变化和吸收系数变化引起的光反射引起的。作者报告了在交叉角为4度的GaInAsP / InP MQW脊波导结构中的开关操作。还观察到了源自量子阱结构的偏振相关性质。

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