机译:使用AlGaAs / GaAs HBT技术的9 GHz带宽,8-20 dB可调节增益单片放大器
NTT LSI Labs., Kanagawa, Japan;
bipolar integrated circuits; feedback; gain control; heterojunction bipolar transistors; linear integrated circuits; wideband amplifiers; 0 to 9 GHz; 640 mW; 8 to 20 dB; 9 GHz; 9 V; AlGaAs-GaAs; HBT technology; IC; broadband operation; controllable-gain monolithic amplifier; parallel feedback technique; power supply voltage; total power dissipation; wideband;
机译:采用0.3 / spl mu / m AlGaAs / GaAs / AlGaAs HEMT技术的25 GHz增益的17 GHz宽带放大器
机译:30 GHz带宽AlGaAs-GaAs HBT直接耦合反馈放大器
机译:使用AlGaAs / GaAs HBT技术的15 GHz单片低相位噪声VCO
机译:具有0.15 dB噪声系数的DC-3 GHz低温AlGaAs / GaAs HBT低噪声MMIC放大器
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:具有2.4Ghz时钟速率的100Mhz带宽80dB动态范围连续时间Δ-Σ调制器
机译:共面波导技术中的67 GHz 0.3 um AlGaAs / GaAs / AlGaAs HEMT单片放大器的设计和表征
机译:16 GHz带宽Inalas-InGaas单片集成p-i-n / HBT光接收器