Bei DRAM-Speichern mit Fehlerkorrektur (Error Correcting Code, kurz: ECC) werden Einzelbitfehler erkannt und automatisch korrigiert, um mehr Zuverlässigkeit zu erreichen. Dies ermöglicht eine höhere Speicherdichte und -bandbreite. Zudem unterstützen Einsparungen im Standby- und im Refresh-Verbrauch Niedrigenergiefunktionen.
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