次世代不揮発メモリ、ReRAMの高信頼化技術を開発

摘要

日本電気（株）とNECエレクトロニクス（株）は、次世代不揮rn発メモリとして期待されているReRAM（抵抗メモリ）のrn高信頼化技術の開発に成功した。rnReRAMは、印加する電圧により抵抗値が変化する性質rnをもった素子を用いたメモリで、不揮発であり、微細化がrn容易なことから、次世代の不揮発メモリとして研究開発がrn活発に行われている。