新メモリ（高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM）の開発に成功

摘要

エルピータメモリ（株）は、次世代新メモリの一種である高速不揮発性抵抗変化型メモリ（ReRAM）の開発に成功した。回路線幅が50nmの製造技術プロセスを用いた試作品で、ReRAMとしては高レベルの大容量となる64Mビットのメモリセルアレイ動作を確認した。