電磁場再構成法と走査型トンネル磁気抵抗効果顕微鏡の開発: 電子部品内部の非破壊検査への応用

摘要

近年、通信端末機器の小型化、記録メディアの大容量化などに伴って、使用される電子デバイスの集積化、微細化が著しい。その結果、電子部品の故障発生時に、部品内部の故障箇所の特定が困難な事例が増えてきた。製造工程や使用時に不良動作が発生した際、設計者ですら、どの部位が故障したのか、電気特性からのみでは特定することができない場合が多い。この故障箇所が、3次元的に実装された電子部品内部となれば特定はさらに難しい。