6インチ口径炭化ケイ素単結晶ウエハの開発に成功

摘要

新日本製織（株）は、今後の高性能パワー半導体デバイスの量産・普及のキー材料である、6インチ口径の炭化ケイ素（SiC）単結晶ウエハの開発に成功した。SiC単結晶は、通常、昇華再結晶法と呼ばれる方法により製造される。この方法では、摂氏2500℃以上の超高温に加熱された製造装置中で、粉末状のSiC原料から昇華させた蒸気を、種結晶上に再結晶化させることによりSiC単結晶の成長を行う。