富士通セミコンダクター、省エネ新市場を拓く窒化ガリウムパワーデバイスの量産化に目途

摘要

富士通セミコンダクター（株）は、シリコン基板を用いた窒化ガリウム（以下、GaN）パワーデバイスを搭載したサーバ用電源で2.5kWの高出力動作を実証し、2013年後半からの量産化に目途をつけた。 同社はこれまで、（株）富士通研究所と共同でのシリコン基板上に良質なGaN結晶を成長するプロセス技術の開発や、スイッチンク時のオン抵抗上昇を抑制するための電極設計最適化などのデバイス技術開発、およびGaNの高速なスイッチングに対応した電源装置の回路設計の工夫などを実施。