パワーデバイスの信頼性評価の概要②: パワーデバイス材料の性能評価

摘要

パワーデバイスの機能の中核となる半導体チップの性能が飛躍的に向上している。次世代の半導体チップ材料として有カ視されるSiC、GaN、Ga_2O_3の中でも、SiCは、その高い電力損失の低減性能と放熱性能から、他の材料に先行して実用化が推進されている。電力損失の低減性能はデバイスの小型化を可能とし、放熱性能はデバイスの冷却機構の小型化を可能とする。車の電装化にあたっては、電装部品やケーブルコネクタの点数増加が生じ、各部の省スペース化が望まれる。この要求に対し、SiCを用いた部品の小型化は特に効用をもたらす。