机译:Sic上的4.3mΩcm〜2,1100v常关Iemosfet
mosfet; sic; on-resistance; epitaxial growth; demosfet; iemosfet; normally-off;
机译:3.6mΩcm2、1726 V 4H-SiC常关沟槽和注入垂直JFET及其电路应用
机译:1530V,16.8mΩ·cm〜2,4H-SiC常关垂直结型场效应晶体管
机译:演示第一个1050 V,21.7 m / splΩ/ cm / sup 2 /常关型4H-SiC结场效应晶体管,具有注入的垂直沟道
机译:2.25kV,6.1mΩ-cm 2 sup> 4H-SiC常关VJFET
机译:开发用于a-SiC和锰CMP的配方以及CMP后的钴清洗。
机译:超薄自对准SiC纳米线阵列的按需CMOS兼容制造。
机译:预测使用SiC常关JFET和SiC二极管构建的逆变器腿中的静态损耗
机译:具有高迁移率的常闭4H-siC沟槽栅极mOsFET(预印刷)