Innovative Silicon Inc. (ISi) präsentiert die zweite Generation seiner Z-RAM-Technolo-gie unter dem Namen Z-RAM Gen2, die mit einer wesentlich höheren Zugriffsgeschwindigkeit und einer nochmals reduzierten Leistungsaufnahme aufwarten kann. Z-RAM war bereits die Speichertechnologie mit der weltweit größten Speicherdichte. Z-RAM Gen2 ist nun mehr als doppelt so schnell und braucht zum Lesen 75 % weniger Leistung und zum Schreiben 90 % weniger.
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