MRAM-Bausteine mit Gbit-Kapaziät

摘要

Auf der 52. Magnetism and Magnetic Materials Conference in Tampa, Florida, stellte Toshiba eine voll funktionstüchtige Speicherzelle in MRAM-Technik (magneto-resistives Random Access Memory), einer Halbleitertechnologie der nächsten Generation, vor. Es handelt sich um den ersten senkrechtmagnetisch-anisotropen MTJ-Baustein überhaupt.