Lieferbar im TO-252ZP-Gehäuse

摘要

Elektrische Eigenschaften, die man bislang nur von den deutlich größeren Low-Voltage-Power-MOSFETs im D2PAK-Gehäuse (TO-263) kannte, zeichnen die neuen Power-MOSFETs im TO-252ZP-Ge-häuse aus. Die von NEC Elec-rntronics entwickelten Bausteine mit den Typenbezeichnungen NP90N03VUG, NP90N04VUG, NP90N055VUG, NP90N04VDG, NP90N04VLG, NP90N055VÜG und NP90N06VLG ermöglichen bei Durchbruchspannungen von 30, 40, 50 oder 60 V und einem On-Widerstand R_(DS(on)) zwischen 3,2 und 7,8 mΩ das Schalten von Strömen bis 90 A.