International Rectifier hat eine Produktfamilie mit Trench-HEX-FET-Leistungs-MOSFETs im Programm, die je nach Typ für einen Gehäuse-Nennstrom bis 195 A spezifiziert sind. Das entspricht - verglichen mit den bisherigen Ausführungen - einer Verbesserung um 60 %. Darüber hinaus erreichen sie im Vergleichrnzu bisherigen Angeboten verbesserte Einschaltwi-derstandswerte und sind in den Gehäusen TO220, D2PAK und TO262 lieferbar. Außerdem ist mit dem 7-Pin-D2PAK-Gehäuse sogar ein Gehäuse-Nennstrom von 240 A erreichbar. Die bleifreien und RoHS-konformen N-rnKanal-MOSFETs stehen im Spannungsbereich von 60 bis 200 V zur Verfügung; zudem sind sie für den industriellen Einsatz sowie für Feuchtigkeitsemp-findlichkeitslevel 1 qualifiziert.
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