首页> 外文期刊>Electronique >Mémoires flash Nand à faible latence : Toshiba entre dans la danse
【24h】

Mémoires flash Nand à faible latence : Toshiba entre dans la danse

机译:低延迟的Nand闪存:东芝进入市场

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Destinée à s'intercaler entre les flash usuelles et les mémoires Dram dans les systèmes de stockage des centres de données et serveurs cloud, la technologie XL-Flash de Toshiba promet une latence inférieure à 5 us et vient concurrencer les 3D XPoint d'Intel et Z-Nand de Samsung.
机译:东芝的XL-Flash技术旨在插入数据中心和云服务器的存储系统中的普通闪存和Dram存储器之间,其等待时间不到5 us,可与英特尔的3D XPoint和三星的Z-Nand。

著录项

  • 来源
    《Electronique》 |2019年第107期|8-8|共1页
  • 作者

    FRÉDÉRIC RÉMOND;

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号