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机译:InAlAs / InGaAs / InP HEMT中具有单凹槽和双凹槽栅极结构的低频跨导色散
机译:使用Ir / Ti / Pt / Au门结构的0.15- $ muhboxm $-门InAlAs / InGaAs / InP E-HEMT
机译:在量子阱中具有InAs插入物的InP衬底上的InAlAs / InGaAs / InAlAs HEMT异质结构的结构和电性能(第59卷,第900页,2014)
机译:量子阱中具有InAs插入物的InP衬底上InAlAs / InGaAs / InAlAs HEMT异质结构的结构和电性能
机译:带有侧凹式InAlAs和InP表面的0.13 / splμu/ m In / sub 0.65 / GaAs p-HEMT的低频跨导色散特性
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:错误到:“InP衬底上的Inalas / InGaAs / Inalas HEMT异质结构的结构和电性能与inaS阱插入量”