机译:SOI上垂直高压DMOSFET的比导通电阻分析
Angstrom Lab., Uppsala Univ., Sweden;
power MOSFET; semiconductor device models; silicon-on-insulator; isolation technology; specific on-resistance; vertical high-voltage DMOSFETs; SOI substrates; deep trench isolation; low-voltage circuitry; high-voltage devices; buried oxide; analytica;
机译:具有连续电子累积层的超低比导通电阻高压垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有浮动垂直场板的超低比导通电阻沟槽SOI LDMOS的基于仿真的性能分析
机译:超低比导通电阻高压SOI横向MOSFET
机译:极低的导通电阻高压SOI横向MOSFET
机译:不带垂直排水孔的土壤固结分析的数值和解析解。
机译:正弦波振动下液化土复合桩基系统垂直承载力的数值分析
机译:具有自偏置累积层的超低特定导通电阻高压PLDMO的仿真研究
机译:在飞行模拟器中测量的正弦变化的垂直比力传递到坐着的人的头部