机译:高度可制造的先进栅极堆叠技术,用于低于45nm的自对准栅极优先CMOSFET
Boron diffusion; Charge trapping; CMOSFET; Dual metal gate; Electron mobility; Equivalent oxide thickness (EOT); Gate first; Hafnium; HfO{sub}2; Hf-silicate; High-κ; Metal gate; NH{sub}3; TiN;
机译:在栅极优先的CMOSFET中使用NH_3灰化工艺改善了金属/高k栅极堆叠的栅极边缘轮廓
机译:多晶硅/ TaN / HfLaON / IL $ {rm SiO} _ {2} $栅极堆叠在关键器件应用中的关键技术研究
机译:具有InP覆盖层的自对准栅极优先In_(0.7)Ga_(0.3)As n-MOSFET,以增强性能
机译:先进的复合材料压力容器的创新,高效的制造技术
机译:用于先进CMOS技术的门叠和通道工程。
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET性能的影响
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET的性能的影响