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Special Issue: Ultra Wide Band Gap Semiconductors for Power Control and Conversion

机译:特殊问题:超宽带隙半导体用于电源控制和转换

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  • 来源
    《IEEE Transactions on Electron Devices》 |2020年第10期|3922-3924|共3页
  • 作者单位

    Univ Notre Dame Dept Elect Engn Notre Dame IN 46556 USA;

    Qorvo Richardson TX 75082 USA;

    Northrop Grumman Linthicum MD 21090 USA;

    Hanyang Univ Dept Elect Engn Seoul 04763 South Korea;

    Univ Padua Dept Informat Engn I-35131 Padua Italy;

    Univ Illinois Dept Elect & Comp Engn Chicago IL 60607 USA;

    Skyworks Solut Inc Newbury Pk CA 91320 USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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