机译:在SiGe点上制造的N沟道MOSFET可提高应变迁移率
Delft Institute of Microsystems and Nanoelectronics, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands;
CMOS; SiGe; Stranski–Krastanow (S–K) growth mode; excimer-laser annealing (ELA); low-temperature gate stack; strain-enhanced mobility; ultrashallow source/drain junctions;
机译:在He注入并退火的SiGe缓冲层上制造的N沟道MOSFET
机译:在绝缘体上锗化硅(SGOI)上制造的应变硅/应变硅锗异质结构p-MOSFET中的空穴迁移率增强
机译:通过局部冷凝技术制造的具有高Ge面沟道的高迁移率应变SiGe绝缘体上pMOSFET
机译:自组装SiGe点上具有应变增强迁移率的MOSFET
机译:低k材料作为CMOS中的层间电介质:沉积和处理对N沟道MOSFET特性的影响。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:具有应变增强迁移率的器件的掩埋SiGe岛的X射线研究