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机译:MOCVD利用刻蚀停止技术在SiC衬底上生长的微波功率性能N极性GaN MISHEMT
Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA, USA;
C-band; GaN; N-polar; X-band; high-electron-mobility transistor (HEMT); metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD);
机译:蓝宝石衬底上通过MOCVD生长的N极性AlGaN / GaN MIS-HEMT的射频性能
机译:掺Fe或无意掺杂GaN缓冲层的MOCVD在SiC上生长的AlGaN / GaN HEMT的直流和微波性能的比较
机译:HVPE GaN衬底上MBE生长的AlGaN / GaN HEMT的微波功率性能
机译:MoCVD在C脸6H-SiC基板上生长的N极GaN膜的性质
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:在轴上蓝宝石衬底上的N极性GaN的mOCVD生长:alN的影响 GaN表面小丘密度上的成核层
机译:siC衬底上的Ga和N极性GaN生长。