stacked trapping lay'/>
机译:通过$ {rm HfO} _ {2} / {rm Si} _ {3} {rm N} _ {4} $堆叠陷阱层提高了无结闪存设备的擦除速度
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan;
${rm Si}_{3}{rm N}_{4}$; Charge-trapping; ${rm HfO}_{2}$ flash memory; $kappa$high; junctionless; poly-Si;
机译:HfO_2 / Si_3N_4带隙工程俘获层提高了多晶硅闪存器件的编程和擦除速度
机译:SiO_2隧穿和Si_3N_4 / HfO_2俘获层是通过低温工艺在全栅无结电荷俘获闪存器件上形成的
机译:具有由低温富氮SiN / SiO_2叠层形成的隧穿层的电荷俘获闪存器件的提高的编程/擦除速度
机译:具有SiGe掩埋沟道和堆叠电荷捕获层的电荷捕获闪存器件的改进的操作特性
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:原子层沉积多层HFO2 / Al2O3堆叠的传导和充电机构分析,用于电荷捕获闪存