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机译:通过减少自加热改善功率晶体管的高压和高电流ID-VDS测量方法
ROHM Co Ltd Res & Dev Ctr Kyoto 6158585 Japan;
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Silicon carbide (SiC); MOSFET; device modeling; I-d-V-ds measurement; self-heating;
机译:用于功率VDMOS晶体管的负偏置温度不稳定性(NBTI)测量的方法
机译:具有自加热效应的功率VDMOSFET晶体管的宏模型
机译:减少标准铂电阻温度计在最高温度测量中自热校正不确定性的方法
机译:高压0.35μm横向PMOS晶体管在高压0.35μm的热载波可靠性的自热效应
机译:改善碳纳米管纳米器件:双极场效应晶体管和高电流互连。
机译:达到高功率密度的有机晶体管中的非线性自加热
机译:通过减少自加热改善功率晶体管的高压和高电流ID-VDS测量方法
机译:高压和大电流测量的特殊方面。研究生高压工程研讨会s-18.148