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【24h】

A little electrical overstress won't hurt, right?

机译:有点电过载不会伤害,对吗?

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摘要

Thermal overstress with a transformer or metallization damage at the bond-wire junction of an IC can cause IC EOS (electrical overstress), which in turn can create an electrical short. An EOS event also can compromise the integrity of the IC's ESD (electrostatic-discharge) circuitry. In this case, the voltage exposure to an IC's input or output pin is well below the voltage and well above the exposure time of an ESD event.
机译:IC的键合线结处带有变压器的热过应力或金属化损坏可能会导致IC EOS(电气过应力),进而造成电气短路。 EOS事件还可能损害IC的ESD(静电放电)电路的完整性。在这种情况下,对IC输入或输出引脚的电压暴露远低于该电压,并且远高于ESD事件的暴露时间。

著录项

  • 来源
    《Electrical Design News》 |2011年第8期|p.22|共1页
  • 作者

    BONNIE BAKER;

  • 作者单位

    Bonnie Baker is a senior applications engineer at Texas Instruments;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 00:30:04

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