Modélisation phénoménologique non linéaire

摘要

For frequency conversion, hyperfrequency devices based on diodes or "hot" FETs (polarised field-effect transistors) seem to be reaching their limiting performance levels. The article proposes the use of "cold FETs", ie, AsGa FETs in switching mode (polarised and with nil drain-source voltage). This requires the development of a specific modeling method in order to precisely simulate the operation of such devices.%En conversion de fréquence, les dispositifs hyperfréquences à diodes ou à TEC "chauds" (transistors à effet de champ polarisés) semblent atteindre leurs performances limites. L'article propose l'utilisation d'un "TEC froid", c'est-à-dire un TEC AsGa en régime de commutation (polarisé, et à tension drain-source nulle). Cela a nécessité le développement d'une modélisation spécifique, afin d'effectuer une simulation précise du fonctionnement de tels dispositifs.