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128-Mbit, 64-Mbit and 32-Mbit Low Power Asynchronous SRAMs Have 32-bit Bus Widths

机译:128-Mbit,64-Mbit和32-Mbit低功耗异步SRAM具有32位总线宽度

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摘要

Cypress Semiconductor introduced 128-Mbit, 64-Mbit and 32-Mbit MoBL (More Battery Life) Asynchronous SRAMs with 32-bit bus widths. The SRAMs are positioned to enhance system performance in concert with 32-bit DSPs, FPGAs and processors. The 128-Mbit (CY62192ESL), 64-Mbit (CY62182ESL) and 32-Mbit (CY62172ESL) MoBL devices offer 32-bit I/O configuration with 55-ns access time (TAA) and a wide voltage range of 1.7 V to 5.5 V. These low-power asynchronous SRAMs are available in a 119-BGA package with a footprint of 14.0 × 22.0 × 2.4 mm and are fabricated using the company's 90-nm R95 CMOS technology.
机译:赛普拉斯半导体公司推出了具有32位总线宽度的128 Mbit,64 Mbit和32 Mbit MoBL(更长的电池寿命)异步SRAM。 SRAM可以与32位DSP,FPGA和处理器配合使用,以增强系统性能。 128 Mb(CY62192ESL),64 Mb(CY62182ESL)和32 Mb(CY62172ESL)MoBL器件提供32位I / O配置和55ns访问时间(TAA)以及1.7V至5.5的宽电压范围V.这些低功耗异步SRAM采用119-BGA封装,占位面积为14.0×22.0×2.4 mm,并使用该公司的90 nm R95 CMOS技术制造。

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    《ECN》 |2011年第10期|p.10|共1页
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