机译:CMOS的金属栅极原子层沉积(ALD)
机译:原子层沉积钨(ALD W)作为22 nm及以后节点CMOS技术的栅极填充金属的应用
机译:原子层沉积钨(ALD W)在22nm及超出节点CMOS技术的栅极填充金属
机译:通过原子层沉积(ALD)在3D金属支架上对高性能超级电极制备的高度保形和分层硫化锡(SNSX)的增强活性
机译:原子层沉积钨(ALD W)作为22 nm及以上节点CMOS技术的栅极填充金属的应用
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:通过在3D金属支架上通过原子层沉积(ALD)制备的高性能共形层状硫化锡(SnSx)对高性能超级电容器电极的活性增强
机译:CMOS的金属栅极原子层沉积(ALD)
机译:用于提供和集成通用金属输送源(GmDs)与原子层沉积(aLD)的方法和装置。