机译:低1014厘米?3个由MOCVD生长的外延β-GA2O3中的3个游离载体浓度
机译:MOCVD生长的外延β-Ga2O3薄膜,室温下电子迁移率为176 cm2 / V s
机译:低温电子迁移率超过MOCVD种植β-GA2O3的104cm 2 / V S.
机译:光学测定在N +或N-衬底上生长的n型硅的外延层中的自由载流子浓度
机译:InP衬底与通过MOCVD生长的外延层之间的界面处n型载流子的生长条件依赖性
机译:通过MOCVD生长的高导电性和透明氧化镉薄膜:外延生长和掺杂效应
机译:载气对薄雾化学气相沉积法生长刚玉结构外延刚玉结构α-Ga2O3薄膜质量的影响
机译:低温电子迁移率超过MOCVD种植β-GA2O3的104cm 2 / V S.
机译:LpE和mOCVD技术生长Gaas和al(x)Ga(1-x)as外延薄膜生长参数的研究