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SPICE-Modelle für SiC-MOSFETs

机译:SiC MOSFET的SPICE模型

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摘要

Um alle Vorteile der SiC-Technologie auszuschöpfen, müssen Leistungswandler speziell auf SiC-Komponenten zugeschnitten sein, denn sie verhalten sich deutlich anders als Siliziumbausteine. Dabei hilft die Simulation, beispielsweise mit »SPICE«. Für seine SiC-MOSFETs der zweiten Generation hat Cree nun ein entsprechendes Simulationsmodell veröffentlicht.
机译:为了充分利用SiC技术,功率转换器必须专门针对SiC组件进行定制,因为它们的行为与硅组件明显不同。模拟在这里有帮助,例如»SPICE«。 Cree现在已经为其第二代SiC MOSFET发布了相应的仿真模型。

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    《Design & Elektronik》 |2014年第12期|8-8|共1页
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