机译:C 1s核激发从DCOO / Si(100)释放状态特定的离子
Electrotechnical Laboratory, 1-1-4 Umezono, Tsukuba 305, Japan;
机译:H_2O / Si(100)的核心能级激发引起的离子解吸:多电子激发/衰变引起的解吸证据
机译:Si(100)表面上N_2O的N 1s核能级光激发引起的离子解吸
机译:在Cl 2p边缘共振激发后,凝聚态Si(CH3)(2)Cl-2的状态特定解吸
机译:光子刺激核心激发引起的DNA组分中离子的解吸
机译:O 1s电子激发从化学吸附在Si(100)上的H2O释放离子
机译:激励-收缩耦合不受影响 通过剧烈改变残基周围的序列 α1SII-III回路的L720–L764
机译:苯胺的C 1s和N 1s核激发:电子轰击和从头算的实验