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Photoelectron Spectroscopy on Reconstructed GaSb(001)

机译:重构GaSb(001)的光电子能谱

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摘要

Various reconstructed GaSb(001) surfaces were prepared and investigated in situ using core-level photoelectron spectroscopy. The change in the surface components of the Ga 3d and Sb 4d revealed that Ga atom rows are not necessary for formation of the c(2 x 6) surface. A new model is proposed in which the origin of the x3 periodicity along the [-110] direction is due to Sb-dimer rows. Another is proposed for the changing of the surface structure from a c(2 x 6) surface to a Ga-rich 2 x 3 surface; this model accounts for the appearance of a surface component in the Ga 3d corresponding to the Ga atom rows under Ga-rich conditions.
机译:准备了各种重建的GaSb(001)表面,并使用核能级光电子能谱仪进行了原位研究。 Ga 3d和Sb 4d的表面成分的变化表明,Ga原子行对于形成c(2 x 6)表面不是必需的。提出了一种新的模型,其中沿[-110]方向的x3周期性的原点归因于Sb-二聚体行。提出了另一种用于将表面结构从c(2 x 6)表面改变为富含Ga的2 x 3表面的方法。该模型说明了在富含Ga的条件下,Ga 3d中与Ga原子行相对应的表面成分的出现。

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