机译:重构GaSb(001)的光电子能谱
NTT Interdisciplinary Research Laboratories, 3-9-11 Midori-cho, Musashino-shi, Tokyo 180, Japan;
机译:GaAs和GaSb晶体(001)表面上的单层氮化物膜的电子俄歇光谱和反射率各向异性光谱
机译:自旋分辨光电子能谱中α-Fe(001)/ GaAs(001)的高偏振发射
机译:用光电子能谱和密度泛函理论计算研究了清洁Si(001)和Ge(001)上的表面核能级移动
机译:GaSb量子点及其使用X射线光电子能谱(XPS)的微分析
机译:实时光电子能谱研究在p型和n型Si(001)表面上的氧化反应动力学。
机译:原子层生长机理的原子性质在GaAs(001)-4上沉积高κY2O3×6基于原位同步辐射光电子能谱
机译:用光电子能谱和DFT计算研究了干净Si(001)和Ge(001)上的表面核能级移动