超高効率SiCパワー半導体の開発

摘要

近年，自動車をはじめ機器の電動化が進んでいる.それらが効率的に動作するよう電力を制御する技術がパヮーエレクトロニクスであり，その心臓部がパヮ一半導体デバイスである.大電流，高電圧を扱うため，電力損失が少なく壊れにくい半導体が求められるが，シリコン（Si)半導体は性能の限界に近く，大幅な特性改善は望めない.パヮ一半導体デバイスは日本が世界をリードしてきた産業であり，高い競争力を堅持するために，新材料を用いたブレークスルーが期待されている.