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机译:台面隔离后,绝缘体上SiGe(SGOI)结构上的应变硅层的应变弛豫
Silicon germanium; Strain; Relaxation; Raman spectroscopy; Silicon on insulator (soi); Field-effect transistors; Mobility enhancement; Buffer layers; Mosfets; Electron;
机译:绝缘体上硅锗衬底上的应变硅层中的应变弛豫
机译:用于纳米CMOS器件的带应变硅层的绝缘体上硅锗(SGOI)衬底的界面特性分析
机译:用于纳米CMOS器件的带应变硅层的绝缘体上硅锗(SGOI)衬底的界面特性分析
机译:在MESA隔离后SiGe-on-Insulator(SGoI)结构上应变松弛层
机译:晶格 - 失配GaAs(001)的应变弛豫机制和界面缺陷的研究 - 基于异质结构
机译:自旋弛豫对双层结构自旋混合电导的影响
机译:在具有掩埋相干SrRuO3层的GdScO3和DyScO3衬底上生长的BaTiO3薄膜的界面结构和应变松弛