机译:高温退火工艺中掺锡氧化铟薄膜的最佳堆积密度和晶体结构
Glass Research Center, Central Class Co. Ltd., 1510 Ohkuchi-cho, Matsusaka-city, Mie Pref, 515-0001, Japan;
Class Business Planning and Development Department, Central Class Co. Ltd., 3-7-1 Kandanishiki-cho, Chiyoda-ku, Tokyo, 101-0054, Japan;
Intellectual Property Department, Central Class Co. Ltd., 3-7-1 Kandanishiki-cho, Chiyoda-ku, Tokyo, 101 -0054, Japan;
Glass Research Center, Central Class Co. Ltd., 1510 Ohkuchi-cho, Matsusaka-city, Mie Pref, 515-0001, Japan;
annealing; ito; packing density; resistivity; sputtering; thin film;
机译:锡掺杂的氧化铟纳米结构和纳米晶体薄膜中的缺陷工程d〜0铁磁性
机译:退火对纯锡掺杂氧化铟薄膜电性能的影响
机译:椭圆偏振光谱法研究掺锡氧化铟薄膜结晶过程中光学常数的变化
机译:亚15飞秒激光显微镜在铟锡氧化物薄膜中激光诱导的周期性表面结构的产生和ma-N光刻胶的双光子光刻技术在液晶电池中的应用。
机译:非晶锡掺杂氧化铟薄膜的结晶动力学。
机译:具有染料厚度的纳米结构可调节厚度的中孔掺锡氧化铟薄膜用于光电化学
机译:具有染料厚度的可调谐厚度的染料敏化纳米结构晶体中孔掺锡氧化铟薄膜,用于光电化学。