机译:使用面内晶格匹配的外延缓冲层合成的MgB / sub 2 /薄膜的超导性能和结晶度
buffer layers; critical current density (superconductivity); crystallisation; epitaxial growth; magnesium compounds; superconducting epitaxial layers; superconducting thin films; superconducting transition temperature; type II superconductors; 270 C; 5 K; Al/sub 2/;
机译:使用面内晶格接近匹配的外延缓冲层在低温下高质量地制造MgB2薄膜
机译:具有AlN缓冲层的成膜MgB2薄膜的结晶度和超导性
机译:不同厚度的晶体SiC缓冲层对$ {rm MgB} _ {2} $薄膜超导性能和助焊剂钉扎机理的影响
机译:BaSnO_3缓冲层改善BaTaO_2N外延薄膜的结晶度
机译:外延应变对层状钌酸和铱酸盐薄膜物理性能的影响
机译:MgO(001)衬底上的薄膜PdFe / VN和VN / PdFe双层薄膜的外延生长和超导性能
机译:Fe基超导体的通用FE缓冲层:外延FESE1-XTEX薄膜
机译:具有单晶结构的2122 BCsCO超导体薄膜的外延层