...
机译:用于对称S / D下划线GAA结累积型硅纳米线MOSFET的高k间隔物的数值评估
Applied Science and Humanity Department ADGITM New Delhi India Electronics and Communication Engineering Department Jaypee Institute of Information Technology Noida India;
Applied Science and Humanity Department ADGITM New Delhi India Electronics and Communication Engineering Department Jaypee Institute of Information Technology Noida India;
Analog; High-k spacer; Junctionless; MOSFET; Silicon nanowire; Underlap; RF;
机译:高k垫片双金属栅极堆栈底带连接栅极(HK-DMGS-JGAA)MOSFET用于高频应用
机译:间隔器上具有高k堆栈的纳米级栅下单层和双栅绝缘体上硅MOSFET的模拟/ RF性能研究
机译:具有栅堆叠结构的对称下叠DG-MOSFET的高k隔离层分析
机译:高k间隔无结累积模式圆柱形栅极全能(JLAM-CGAA)MOSFET的模拟/ RF性能研究
机译:MOSFET的RF噪声建模及其在低噪声RFIC设计中的应用。
机译:电渗推挽灌流的数值模型及其在哺乳动物组织细胞外空间酶活性定量测定中的应用评估
机译:多晶硅通道纳米线和通心粉Gaa MOSFET中电流运输建模方法的比较