机译:在硅衬底上集成铁电BIT和电介质HfO_2,具有高数据保留能力和耐久性,适用于铁电FET应用
Indian Inst Informat Technol Dept Elect & Commun Engn Allahabad 211015 Uttar Pradesh India;
机译:使用5nm Hf 0.5 sub> Zr 0.5 sub> O 2 sub>的非易失性铁电FET具有高数据保留和读取耐久性,适用于1T存储器应用
机译:等离子增强原子层沉积和射频溅射技术在1-T FeFET中应用的HfO_2的结构电介质和铁电性能的比较研究
机译:实验性的128 kbit铁电存储器具有1012的耐久性和10年的数据保留
机译:高耐久性多位铁电FET的单片3D集成,用于加速计算内存
机译:用于硅基板单片集成的铁电移相器的设计和开发。
机译:通过结合石墨烯和铁电陶瓷添加剂在储能应用中提高压电聚合物的介电和铁电性能
机译:铁电HF0.5ZR0.5O2电容器的Si(001)上的外延集成,具有高保留和耐久性