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机译:通过磁控溅射在(001),(110)和(012)取向的蓝宝石衬底上外延生长掺铝的氧化锌膜
Physical Metallurgy Section, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Kalpakkam-603102, India;
defects and impurities: doping; implantation; distribution; concentration; etc.; charge carriers: generation; recombination; lifetime; trapping; mean free paths; II-VI semiconductors; deposition by sputtering;
机译:射频磁控溅射在r型蓝宝石衬底上生长外延(110)0.7Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-0.3PbTiO_(3)薄膜
机译:外延(110)0.7Pb(Mg 1/3 sub> Nb 2/3 sub>)O 3 sub> -0.3PbTiO 3 b>的生长sub>射频磁控溅射在r平面蓝宝石衬底上的薄膜
机译:通过RF磁控溅射(001)Al2O3基质的(111)的增长(111) - 硅化镁(Mg2Si)膜通过RF磁控溅射及其性质
机译:通过射频磁控溅射在蓝宝石衬底上进行高度(112)的Cu_2ZNS_4薄膜
机译:R有机氧化铝衬底上金属有机化学气相的生长和外延氧化镁锌薄膜的表征。
机译:SC0.09Al0.91N和SC0.18A10.82N的外延生长通过磁控溅射对表面声波应用的磁控溅射薄膜
机译:磁控溅射在MgO(001)衬底上外延生长Co2Cr0.6Fe0.4Al Heusler合金薄膜