首页> 外文期刊>Applied Physics A: Materials Science & Processing >Design and fabrication of subwavelength nanogratings based light-emitting diodes
【24h】

Design and fabrication of subwavelength nanogratings based light-emitting diodes

机译:亚波长纳米光栅基发光二极管的设计与制造

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

Linearly polarized light from InGaN green light emitting diode grown on (0001) oriented sapphire is demonstrated by using subwavelength metallic nanogratings. Polarization ratio can reach 7:1 (∼88%), the highest ever reported from a single light emitting device. We discuss the design and fabrication of this device in detail.
机译:通过使用亚波长金属纳米光栅,证明了在(0001)取向蓝宝石上生长的InGaN绿色发光二极管的线性偏振光。偏振比可以达到7:1(〜88%),这是单个发光器件报告的最高比率。我们将详细讨论该设备的设计和制造。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号